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俄外交部：美在挪威部署导弹发射系统是破坏性举措-29066a0f
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推进下一代光刻技术合作
9月8日，在美股盘前交易中，全球光刻机巨头阿斯麦股价一度大涨超4%。消息面上，阿斯麦宣布，公司正与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。受此影响，阿斯麦ADR盘前交易中一度涨超4%，截至收盘涨幅回落至2.91%。
阿斯麦表示，将与主要客户合作生产其最先进的光刻设备，用于开发由英伟达等公司设计的大型数据中心芯片。具体来看，台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星电子计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产；英特尔则表示，目前已处理超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆。
High NA设备推动芯片制造升级
三星电子回应称，此次合作旨在推动12英寸光掩模技术的发展，以取代几十年来广泛使用的6英寸光掩模格式。阿斯麦即将推出的下一代High NA EUV设备能够打印更精细的芯片。
阿斯麦计划升级至更大尺寸的掩模，使最新设备能够制造出与当前最大规模数据中心芯片相当的芯片。公司计划在2031年前展示配备更大掩模的试点生产线，并预计到2033年实现该新技术的量产能力。阿斯麦首席技术官Marco Pieters表示，如果目标实现，整个行业将看到这些系统产能提升40%。SK海力士也表示正在评估是否参与该联盟，以推进12英寸掩模的引入。
荷兰扩产应对AI芯片需求
与此同时，阿斯麦启动大规模扩产计划，开始在荷兰建设第二座产业园区。阿斯麦表示，位于埃因霍温的新园区最终占地面积将相当于约50个欧洲足球场，可容纳最多2万名员工，一期工程将于2029年完工。
半导体行业方面，三星电子的扩产计划也有新进展。其位于美国得克萨斯州的泰勒工厂将在本月底开始试生产，该工厂是三星电子2纳米芯片制程的核心基地。三星电子表示，目前负责的订单包括特斯拉的AI5芯片、博通的下一代通信半导体以及Arm的人工智能芯片。
除三星电子外，英特尔也在加大对2纳米制程18A和下一代1.4纳米制程14A的投资，并在上月发行了价值200亿美元的新股。全球领先半导体企业正推进先进制程部署，以应对市场对先进芯片的需求。
推进下一代光刻技术合作
9月8日，在美股盘前交易中，全球光刻机巨头阿斯麦股价一度大涨超4%。消息面上，阿斯麦宣布，公司正与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。受此影响，阿斯麦ADR盘前交易中一度涨超4%，截至收盘涨幅回落至2.91%。
阿斯麦表示，将与主要客户合作生产其最先进的光刻设备，用于开发由英伟达等公司设计的大型数据中心芯片。具体来看，台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星电子计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产；英特尔则表示，目前已处理超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆。
High NA设备推动芯片制造升级
三星电子回应称，此次合作旨在推动12英寸光掩模技术的发展，以取代几十年来广泛使用的6英寸光掩模格式。阿斯麦即将推出的下一代High NA EUV设备能够打印更精细的芯片。
阿斯麦计划升级至更大尺寸的掩模，使最新设备能够制造出与当前最大规模数据中心芯片相当的芯片。公司计划在2031年前展示配备更大掩模的试点生产线，并预计到2033年实现该新技术的量产能力。阿斯麦首席技术官Marco Pieters表示，如果目标实现，整个行业将看到这些系统产能提升40%。SK海力士也表示正在评估是否参与该联盟，以推进12英寸掩模的引入。
荷兰扩产应对AI芯片需求
与此同时，阿斯麦启动大规模扩产计划，开始在荷兰建设第二座产业园区。阿斯麦表示，位于埃因霍温的新园区最终占地面积将相当于约50个欧洲足球场，可容纳最多2万名员工，一期工程将于2029年完工。
半导体行业方面，三星电子的扩产计划也有新进展。其位于美国得克萨斯州的泰勒工厂将在本月底开始试生产，该工厂是三星电子2纳米芯片制程的核心基地。三星电子表示，目前负责的订单包括特斯拉的AI5芯片、博通的下一代通信半导体以及Arm的人工智能芯片。
除三星电子外，英特尔也在加大对2纳米制程18A和下一代1.4纳米制程14A的投资，并在上月发行了价值200亿美元的新股。全球领先半导体企业正推进先进制程部署，以应对市场对先进芯片的需求。
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9月8日，在美股盘前交易中，全球光刻机巨头阿斯麦股价一度大涨超4%。消息面上，阿斯麦宣布，公司正与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。受此影响，阿斯麦ADR盘前交易中一度涨超4%，截至收盘涨幅回落至2.91%。
阿斯麦表示，将与主要客户合作生产其最先进的光刻设备，用于开发由英伟达等公司设计的大型数据中心芯片。具体来看，台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星电子计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产；英特尔则表示，目前已处理超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆。
High NA设备推动芯片制造升级
三星电子回应称，此次合作旨在推动12英寸光掩模技术的发展，以取代几十年来广泛使用的6英寸光掩模格式。阿斯麦即将推出的下一代High NA EUV设备能够打印更精细的芯片。
阿斯麦计划升级至更大尺寸的掩模，使最新设备能够制造出与当前最大规模数据中心芯片相当的芯片。公司计划在2031年前展示配备更大掩模的试点生产线，并预计到2033年实现该新技术的量产能力。阿斯麦首席技术官Marco Pieters表示，如果目标实现，整个行业将看到这些系统产能提升40%。SK海力士也表示正在评估是否参与该联盟，以推进12英寸掩模的引入。
荷兰扩产应对AI芯片需求
与此同时，阿斯麦启动大规模扩产计划，开始在荷兰建设第二座产业园区。阿斯麦表示，位于埃因霍温的新园区最终占地面积将相当于约50个欧洲足球场，可容纳最多2万名员工，一期工程将于2029年完工。
半导体行业方面，三星电子的扩产计划也有新进展。其位于美国得克萨斯州的泰勒工厂将在本月底开始试生产，该工厂是三星电子2纳米芯片制程的核心基地。三星电子表示，目前负责的订单包括特斯拉的AI5芯片、博通的下一代通信半导体以及Arm的人工智能芯片。
除三星电子外，英特尔也在加大对2纳米制程18A和下一代1.4纳米制程14A的投资，并在上月发行了价值200亿美元的新股。全球领先半导体企业正推进先进制程部署，以应对市场对先进芯片的需求。
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除三星电子外，英特尔也在加大对2纳米制程18A和下一代1.4纳米制程14A的投资，并在上月发行了价值200亿美元的新股。全球领先半导体企业正推进先进制程部署，以应对市场对先进芯片的需求。
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